| 產品參數 | DFB 外延片 | EML 外延片 | FP 外延片 |
|---|---|---|---|
| 速率 | 2.5G/10G/25G | 10G/25G/56G | 2.5G/10G/25G |
| 波長 | 1270nm/1310nm/1490nm/1550nm | 1310nm/1550nm/1577nm | 1310nm/1550nm |
| 尺寸 | 2inch/3inch | 2inch/3inch | 2inch/3inch |
| 產品特色 |
GPON、XGPON、XGSPON、BIDI 光柵工藝（全息光柵、電子束曝光、納米壓印） |
SAG和Butt joint工藝 | 小發散角 |
| 產品說明 | 半導體激光器包括DFB、EML和FP等三大類，覆蓋波長從1270nm到1610nm，應用于GPON、XGPON、XGSPON、FTTR、CWDM/DWDM、BIDI等光通信網絡。全磊光電擁有零缺陷外延生長工藝和百納米級光柵平臺，激光器外延片已量產多年，產品良率高、可靠性好。全磊光電還擁有含Al材料側向掩埋工藝和耦合異質對接生長工藝，可滿足不同應用產品的制造需求。 | ||
激光器產品
探測器產品
| 產品參數 | APD 外延片 | PIN 外延片 | MPD 外延片 |
|---|---|---|---|
| 速率 | 2.5G/10G/25G | 2.5G/10G/25G/50G | — |
| 尺寸 | 2inch/3inch/4inch | 2inch/3inch/4inch | 2inch/3inch/4inch |
| 產品特色 | Zn擴散工藝 |
低暗電流 | Zn擴散工藝 |
| 產品說明 | 半導體探測器包括APD、PIN和MPD三大類，覆蓋波長從650nm-1700nm,GPON、XGPON、XGSPON等光網絡皆適用。PD的工作原理為(1)探測器PN結形成內建電場；(2)光入射到半導體內產生電子空穴對，并在電場作用下定向流動而產生光電流；(3)光電流導出為輸出信號。探測器通常需要針對工作波長具有高的靈敏度，高響應速率、低的暗電流和高可靠度。APD是在PD的基礎上采用雪崩倍增效應，將接收到的光電流放大，提升探測靈敏度。全磊光電PD及APD探測器產品已穩定量產多年，且可為客戶提供Zn擴散服務。 |
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